Dual SiC N-Channel MOSFET, 187 A, 60 V, 3-Pin PG-TO263-3 Infineon IPB018N06NF2SATMA1

Nº de Estoque RS: 262-5855Marca: InfineonPart Number: IPB018N06NF2SATMA1
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Documentos Técnicos

Especificações

Brand

Infineon

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

187 A

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Package Type

PG-TO263-3

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Channel Mode

Enhancement

Number of Elements per Chip

2

Transistor Material

SiC

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R$ 35,18

Each (In a Pack of 5) (Sem VAT)

Dual SiC N-Channel MOSFET, 187 A, 60 V, 3-Pin PG-TO263-3 Infineon IPB018N06NF2SATMA1
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Padrão

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Padrão - each

Disponível em múltiplos de 5.

Produção -

Disponível em múltiplos de 5.

Recomendado para pedidos em grandes quantidades. Os itens são embalados prontos para serem inseridos no maquinário, permitindo melhorar a eficiência da produção.

5

Disponível em múltiplos de 5
5R$ 175,90
10R$ 351,80
15R$ 527,70
20R$ 703,60
25R$ 804,00
30R$ 964,80
35R$ 1.125,60
40R$ 1.286,40
45R$ 1.447,20
50R$ 1.524,00
55R$ 1.676,40
60R$ 1.828,80
65R$ 1.981,20
70R$ 2.133,60
75R$ 2.286,00

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Comprar em grandes quantidades

QuantidadePreço unitárioPer Pacote
5 - 20R$ 35,18R$ 175,90
25 - 45R$ 32,16R$ 160,80
50 - 120R$ 30,48R$ 152,40
125 - 245R$ 28,73R$ 143,65
250+R$ 26,88R$ 134,40

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