N-Channel MOSFET, 64 A, 250 V, 3-Pin D2PAK Infineon IPB64N25S320ATMA1

Nº de Estoque RS: 171-1959PMarca: InfineonPart Number: IPB64N25S320ATMA1
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Documentos Técnicos

Especificações

Brand

Infineon

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

64 A

Maximum Drain Source Voltage

250 V

Series

OptiMOS™-T

Package Type

D2PAK (TO-263)

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

20 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4V

Minimum Gate Threshold Voltage

2V

Maximum Power Dissipation

300 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

20 V

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Length

10mm

Typical Gate Charge @ Vgs

67 nC @ 10 V

Width

10.25mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Forward Diode Voltage

1.2V

Height

4.4mm

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5P.O.A.
10P.O.A.
15P.O.A.
20P.O.A.
25P.O.A.
30P.O.A.
35P.O.A.
40P.O.A.
45P.O.A.
50P.O.A.
55P.O.A.
60P.O.A.
65P.O.A.
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Infineon

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N

Maximum Continuous Drain Current

64 A

Maximum Drain Source Voltage

250 V

Series

OptiMOS™-T

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D2PAK (TO-263)

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

20 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4V

Minimum Gate Threshold Voltage

2V

Maximum Power Dissipation

300 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

20 V

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Length

10mm

Typical Gate Charge @ Vgs

67 nC @ 10 V

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