Dual P-Channel MOSFET, 8 A, 30 V, 8-Pin SOIC Infineon IRF9362PBF

Nº de Estoque RS: 737-7307PMarca: InfineonPart Number: IRF9362PBF
brand-logo
Ver tudo em MOSFETs

Documentos Técnicos

Especificações

Brand

Infineon

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

8 A

Maximum Drain Source Voltage

30 V

Package Type

SOIC

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance

32 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2.4V

Minimum Gate Threshold Voltage

1.3V

Maximum Power Dissipation

2 W

Transistor Configuration

Isolated

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Typical Gate Charge @ Vgs

26 nC @ 10 V

Number of Elements per Chip

2

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

5mm

Width

4mm

Transistor Material

Si

Series

HEXFET

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Height

1.5mm

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more
Você pode estar interessado em

Informações de estoque temporariamente indisponíveis.

Verifique novamente mais tarde.

Informações de estoque temporariamente indisponíveis.

P.O.A.

Dual P-Channel MOSFET, 8 A, 30 V, 8-Pin SOIC Infineon IRF9362PBF
Selecione o tipo de embalagem

Embalagem de Produção (Tubo)

Selecione o tipo de embalagem

Padrão - each

Disponível em múltiplos de 5.

Produção -

Disponível em múltiplos de 5.

Recomendado para pedidos em grandes quantidades. Os itens são embalados prontos para serem inseridos no maquinário, permitindo melhorar a eficiência da produção.

5

Disponível em múltiplos de 5
5P.O.A.
10P.O.A.
15P.O.A.
20P.O.A.
25P.O.A.
30P.O.A.
35P.O.A.
40P.O.A.
45P.O.A.
50P.O.A.
55P.O.A.
60P.O.A.
65P.O.A.
70P.O.A.
75P.O.A.

P.O.A.

Dual P-Channel MOSFET, 8 A, 30 V, 8-Pin SOIC Infineon IRF9362PBF
Informações de estoque temporariamente indisponíveis.
Selecione o tipo de embalagem

Embalagem de Produção (Tubo)

Selecione o tipo de embalagem

Padrão - each

Disponível em múltiplos de 5.

Produção -

Disponível em múltiplos de 5.

Recomendado para pedidos em grandes quantidades. Os itens são embalados prontos para serem inseridos no maquinário, permitindo melhorar a eficiência da produção.

5

Disponível em múltiplos de 5
5P.O.A.
10P.O.A.
15P.O.A.
20P.O.A.
25P.O.A.
30P.O.A.
35P.O.A.
40P.O.A.
45P.O.A.
50P.O.A.
55P.O.A.
60P.O.A.
65P.O.A.
70P.O.A.
75P.O.A.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more
Você pode estar interessado em

Documentos Técnicos

Especificações

Brand

Infineon

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

8 A

Maximum Drain Source Voltage

30 V

Package Type

SOIC

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance

32 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2.4V

Minimum Gate Threshold Voltage

1.3V

Maximum Power Dissipation

2 W

Transistor Configuration

Isolated

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Typical Gate Charge @ Vgs

26 nC @ 10 V

Number of Elements per Chip

2

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

5mm

Width

4mm

Transistor Material

Si

Series

HEXFET

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Height

1.5mm

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more
Você pode estar interessado em