Documentos Técnicos
Especificações
Brand
onsemiMaximum Continuous Collector Current
35 A
Maximum Collector Emitter Voltage
650 V
Maximum Gate Emitter Voltage
±20.0V
Number of Transistors
6
Package Type
DIP26
Configuration
3 Phase
Mounting Type
Through Hole
Channel Type
N
Informações de estoque temporariamente indisponíveis.
Verifique novamente mais tarde.
Informações de estoque temporariamente indisponíveis.
R$ 1.946,23
R$ 1.946,23 Each (Sem VAT)
onsemi NXH35C120L2C2SG 3 Phase IGBT Module, 35 A 650 V DIP26, Through Hole
1
R$ 1.946,23
R$ 1.946,23 Each (Sem VAT)
onsemi NXH35C120L2C2SG 3 Phase IGBT Module, 35 A 650 V DIP26, Through Hole
Informações de estoque temporariamente indisponíveis.
1
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Especificações
Brand
onsemiMaximum Continuous Collector Current
35 A
Maximum Collector Emitter Voltage
650 V
Maximum Gate Emitter Voltage
±20.0V
Number of Transistors
6
Package Type
DIP26
Configuration
3 Phase
Mounting Type
Through Hole
Channel Type
N