Documentos Técnicos
Especificações
Brand
ToshibaChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
2 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Package Type
SOT-23
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
4e+008 Ω
Maximum Gate Threshold Voltage
2V
Number of Elements per Chip
1
Transistor Material
Silicon
Informações de estoque temporariamente indisponíveis.
Verifique novamente mais tarde.
P.O.A.
Embalagem de Produção (Bobina)
50
P.O.A.
Embalagem de Produção (Bobina)
50
Documentos Técnicos
Especificações
Brand
ToshibaChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
2 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Package Type
SOT-23
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
4e+008 Ω
Maximum Gate Threshold Voltage
2V
Number of Elements per Chip
1
Transistor Material
Silicon