P-Channel MOSFET, 16 A, 80 V, 4-Pin PowerPAK SO-8L Vishay Siliconix SQJ481EP-T1_GE3

Nº de Estoque RS: 178-3883Marca: Vishay SiliconixPart Number: SQJ481EP-T1_GE3
brand-logo
Ver tudo em MOSFETs

Documentos Técnicos

Especificações

Brand

Vishay Siliconix

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

16 A

Maximum Drain Source Voltage

80 V

Series

TrenchFET

Package Type

PowerPAK SO-8L

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance

90 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2.5V

Minimum Gate Threshold Voltage

1.5V

Maximum Power Dissipation

45 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

±20 V

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Length

5.99mm

Typical Gate Charge @ Vgs

33 nC @ 10 V

Width

5mm

Transistor Material

Si

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Forward Diode Voltage

1.2V

Automotive Standard

AEC-Q101

Height

1.07mm

País de Origem

China

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Informações de estoque temporariamente indisponíveis.

Verifique novamente mais tarde.

Informações de estoque temporariamente indisponíveis.

R$ 328,75

R$ 13,15 Each (In a Pack of 25) (Sem VAT)

P-Channel MOSFET, 16 A, 80 V, 4-Pin PowerPAK SO-8L Vishay Siliconix SQJ481EP-T1_GE3
Selecione o tipo de embalagem

Padrão

Selecione o tipo de embalagem

Padrão - each

Disponível em múltiplos de 25.

Produção -

Disponível em múltiplos de 25.

Recomendado para pedidos em grandes quantidades. Os itens são embalados prontos para serem inseridos no maquinário, permitindo melhorar a eficiência da produção.

25

Disponível em múltiplos de 25
25R$ 328,75
50R$ 657,50
75R$ 986,25
100R$ 1.027,00
125R$ 1.283,75
150R$ 1.540,50
175R$ 1.797,25
200R$ 2.054,00
225R$ 2.310,75
250R$ 2.567,50
275R$ 2.824,25
300R$ 3.081,00
325R$ 3.337,75
350R$ 3.594,50
375R$ 3.851,25

R$ 328,75

R$ 13,15 Each (In a Pack of 25) (Sem VAT)

P-Channel MOSFET, 16 A, 80 V, 4-Pin PowerPAK SO-8L Vishay Siliconix SQJ481EP-T1_GE3
Informações de estoque temporariamente indisponíveis.
Selecione o tipo de embalagem

Padrão

Selecione o tipo de embalagem

Padrão - each

Disponível em múltiplos de 25.

Produção -

Disponível em múltiplos de 25.

Recomendado para pedidos em grandes quantidades. Os itens são embalados prontos para serem inseridos no maquinário, permitindo melhorar a eficiência da produção.

25

Disponível em múltiplos de 25
25R$ 328,75
50R$ 657,50
75R$ 986,25
100R$ 1.027,00
125R$ 1.283,75
150R$ 1.540,50
175R$ 1.797,25
200R$ 2.054,00
225R$ 2.310,75
250R$ 2.567,50
275R$ 2.824,25
300R$ 3.081,00
325R$ 3.337,75
350R$ 3.594,50
375R$ 3.851,25

Comprar em grandes quantidades

QuantidadePreço unitárioPer Pacote
25 - 75R$ 13,15R$ 328,75
100 - 475R$ 10,27R$ 256,75
500 - 975R$ 8,90R$ 222,50
1000+R$ 7,19R$ 179,75

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Documentos Técnicos

Especificações

Brand

Vishay Siliconix

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

16 A

Maximum Drain Source Voltage

80 V

Series

TrenchFET

Package Type

PowerPAK SO-8L

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance

90 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2.5V

Minimum Gate Threshold Voltage

1.5V

Maximum Power Dissipation

45 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

±20 V

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Length

5.99mm

Typical Gate Charge @ Vgs

33 nC @ 10 V

Width

5mm

Transistor Material

Si

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Forward Diode Voltage

1.2V

Automotive Standard

AEC-Q101

Height

1.07mm

País de Origem

China

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more