P-Channel MOSFET Transistor, 4.1 A, 30 V, 8-Pin SOIC Vishay SI9435BDY-T1-E3

Nº de Estoque RS: 699-7354Marca: VishayPart Number: SI9435BDY-T1-E3
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Documentos Técnicos

Especificações

Brand

Vishay

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

4.1 A

Maximum Drain Source Voltage

30 V

Package Type

SOIC

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance

42 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Gate Threshold Voltage

1V

Maximum Power Dissipation

1.3 W

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Typical Gate Charge @ Vgs

16 nC @ 10 V

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

5mm

Width

4mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Height

1.55mm

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8

Maximum Drain Source Resistance

42 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Gate Threshold Voltage

1V

Maximum Power Dissipation

1.3 W

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Typical Gate Charge @ Vgs

16 nC @ 10 V

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