Toshiba TK N-Channel MOSFET, 56 A, 120 V, 3-Pin TO-220SIS TK56A12N1,S4X(S

Nº de Estoque RS: 827-6230Marca: ToshibaPart Number: TK56A12N1,S4X(S
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Documentos Técnicos

Especificações

Brand

Toshiba

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

56 A

Maximum Drain Source Voltage

120 V

Series

TK

Package Type

TO-220SIS

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

7.5 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4V

Maximum Power Dissipation

45 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Number of Elements per Chip

1

Length

10mm

Typical Gate Charge @ Vgs

69 nC @ 10 V

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Width

4.5mm

Transistor Material

Si

Height

15mm

País de Origem

China

Detalhes do produto

MOSFET Transistors, Toshiba

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R$ 163,96

R$ 40,99 Each (In a Pack of 4) (Sem VAT)

Toshiba TK N-Channel MOSFET, 56 A, 120 V, 3-Pin TO-220SIS TK56A12N1,S4X(S
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Padrão

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Disponível em múltiplos de 4.

Produção -

Disponível em múltiplos de 4.

Recomendado para pedidos em grandes quantidades. Os itens são embalados prontos para serem inseridos no maquinário, permitindo melhorar a eficiência da produção.

4

Disponível em múltiplos de 4
4R$ 163,96
8R$ 327,92
12R$ 491,88
16R$ 655,84
20R$ 819,80
24R$ 983,76
28R$ 1.147,72
32R$ 1.311,68
36R$ 1.475,64
40R$ 1.639,60
44R$ 1.803,56
48R$ 1.967,52
52R$ 2.131,48
56R$ 2.295,44
60R$ 2.459,40

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24R$ 983,76
28R$ 1.147,72
32R$ 1.311,68
36R$ 1.475,64
40R$ 1.639,60
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N

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120 V

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TK

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Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

7.5 mΩ

Channel Mode

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Maximum Gate Threshold Voltage

4V

Maximum Power Dissipation

45 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

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Length

10mm

Typical Gate Charge @ Vgs

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