Dual SiC N-Channel MOSFET, 190 A, 60 V, 3-Pin PG-TO263-3 Infineon IPB013N06NF2SATMA1

Nº de Estoque RS: 262-5848Marca: InfineonPart Number: IPB013N06NF2SATMA1
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Documentos Técnicos

Especificações

Brand

Infineon

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

190 A

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Package Type

PG-TO263-3

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Channel Mode

Enhancement

Number of Elements per Chip

2

Transistor Material

SiC

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2R$ 85,04
4R$ 170,08
6R$ 255,12
8R$ 340,16
10R$ 425,20
12R$ 510,24
14R$ 595,28
16R$ 680,32
18R$ 765,36
20R$ 850,40
22R$ 935,44
24R$ 1.020,48
26R$ 1.105,52
28R$ 1.190,56
30R$ 1.275,60

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Infineon

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N

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