N-Channel MOSFET, 115 A, 300 V, 4-Pin SOT-227 IXYS IXFN140N30P

Nº de Estoque RS: 193-739Marca: IXYSPart Number: IXFN140N30PDistrelec Article No.: 30253363
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Documentos Técnicos

Especificações

Brand

IXYS

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

115 A

Maximum Drain Source Voltage

300 V

Series

HiperFET, Polar

Package Type

SOT-227

Mounting Type

Screw Mount

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance

24 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

5V

Maximum Power Dissipation

700 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Typical Gate Charge @ Vgs

185 nC @ 10 V

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

38.2mm

Width

25.07mm

Transistor Material

Si

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Height

9.6mm

Detalhes do produto

N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ Series

N-Channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) from IXYS

MOSFET Transistors, IXYS

A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS

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R$ 640,44 Each (Sem VAT)

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Produção -

Disponível em múltiplos de 1.

Recomendado para pedidos em grandes quantidades. Os itens são embalados prontos para serem inseridos no maquinário, permitindo melhorar a eficiência da produção.

1

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2R$ 1.274,74
3R$ 1.912,11
4R$ 2.549,48
5R$ 3.135,35
6R$ 3.762,42
7R$ 4.389,49
8R$ 5.016,56
9R$ 5.643,63
10R$ 6.270,70
11R$ 6.897,77
12R$ 7.524,84
13R$ 8.151,91
14R$ 8.778,98
15R$ 9.406,05

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8R$ 5.016,56
9R$ 5.643,63
10R$ 6.270,70
11R$ 6.897,77
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Brand

IXYS

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

115 A

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300 V

Series

HiperFET, Polar

Package Type

SOT-227

Mounting Type

Screw Mount

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance

24 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

5V

Maximum Power Dissipation

700 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Typical Gate Charge @ Vgs

185 nC @ 10 V

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

38.2mm

Width

25.07mm

Transistor Material

Si

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Height

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