N-Channel MOSFET, 18 A, 100 V, 8-Pin SOIC Vishay SI4190ADY-T1-GE3

Nº de Estoque RS: 787-9235PMarca: VishayPart Number: SI4190ADY-T1-GE3
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Documentos Técnicos

Especificações

Brand

Vishay

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

18 A

Maximum Drain Source Voltage

100 V

Package Type

SOIC

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance

2.2 Ω

Channel Mode

Enhancement

Minimum Gate Threshold Voltage

1.5V

Maximum Power Dissipation

6 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

5mm

Typical Gate Charge @ Vgs

44.4 nC @ 10 V

Width

4mm

Transistor Material

Si

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Height

1.5mm

Detalhes do produto

N-Channel MOSFET, 100V to 150V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

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10P.O.A.
15P.O.A.
20P.O.A.
25P.O.A.
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Brand

Vishay

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

18 A

Maximum Drain Source Voltage

100 V

Package Type

SOIC

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Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance

2.2 Ω

Channel Mode

Enhancement

Minimum Gate Threshold Voltage

1.5V

Maximum Power Dissipation

6 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

5mm

Typical Gate Charge @ Vgs

44.4 nC @ 10 V

Width

4mm

Transistor Material

Si

Minimum Operating Temperature

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Height

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