Diodes Inc P-Channel MOSFET, 600 mA, 20 V, 3-Pin X1-DFN1212 DMP21D6UFD-7

Nº de Estoque RS: 182-7329PMarca: DiodesZetexPart Number: DMP21D6UFD-7
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Documentos Técnicos

Especificações

Brand

DiodesZetex

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

600 mA

Maximum Drain Source Voltage

20 V

Package Type

X1-DFN1212

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

3 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

1V

Minimum Gate Threshold Voltage

0.5V

Maximum Power Dissipation

800 mW

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

±8 V

Length

1.25mm

Typical Gate Charge @ Vgs

0.8 nC @ 8V

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Number of Elements per Chip

1

Width

1.25mm

Height

0.48mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Forward Diode Voltage

1.2V

País de Origem

China

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P.O.A.

Each (Supplied on a Reel) (Sem VAT)

Diodes Inc P-Channel MOSFET, 600 mA, 20 V, 3-Pin X1-DFN1212 DMP21D6UFD-7
Selecione o tipo de embalagem

Embalagem de Produção (Bobina)

Selecione o tipo de embalagem

Padrão - each

Disponível em múltiplos de 100.

Produção -

Disponível em múltiplos de 100.

Recomendado para pedidos em grandes quantidades. Os itens são embalados prontos para serem inseridos no maquinário, permitindo melhorar a eficiência da produção.

100

Disponível em múltiplos de 100
100P.O.A.
200P.O.A.
300P.O.A.
400P.O.A.
500P.O.A.
600P.O.A.
700P.O.A.
800P.O.A.
900P.O.A.
1000P.O.A.
1100P.O.A.
1200P.O.A.
1300P.O.A.
1400P.O.A.
1500P.O.A.

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P

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20 V

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Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

3 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

1V

Minimum Gate Threshold Voltage

0.5V

Maximum Power Dissipation

800 mW

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

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1.25mm

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0.8 nC @ 8V

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