Nexperia N-Channel MOSFET, 100 A, 25 V, 4-Pin LFPAK, SOT-669 PSMN0R9-25YLC,115

Nº de Estoque RS: 798-2895Marca: NexperiaPart Number: PSMN0R9-25YLC,115
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Documentos Técnicos

Especificações

Brand

Nexperia

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

100 A

Maximum Drain Source Voltage

25 V

Package Type

LFPAK, SOT-669

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance

1.25 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

1.95V

Minimum Gate Threshold Voltage

1.05V

Maximum Power Dissipation

272 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Width

4.1mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Length

5mm

Typical Gate Charge @ Vgs

110 nC @ 10 V

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Height

1.1mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Detalhes do produto

N-Channel MOSFET, up to 30V

MOSFET Transistors, NXP Semiconductors

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Informações de estoque temporariamente indisponíveis.

R$ 114,63

R$ 38,21 Each (In a Pack of 3) (Sem VAT)

Nexperia N-Channel MOSFET, 100 A, 25 V, 4-Pin LFPAK, SOT-669 PSMN0R9-25YLC,115
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Padrão

Selecione o tipo de embalagem

Padrão - each

Disponível em múltiplos de 3.

Produção -

Disponível em múltiplos de 3.

Recomendado para pedidos em grandes quantidades. Os itens são embalados prontos para serem inseridos no maquinário, permitindo melhorar a eficiência da produção.

3

Disponível em múltiplos de 3
3R$ 114,63
6R$ 229,26
9R$ 343,89
12R$ 458,52
15R$ 573,15
18R$ 687,78
21R$ 802,41
24R$ 917,04
27R$ 1.031,67
30R$ 1.072,80
33R$ 1.180,08
36R$ 1.287,36
39R$ 1.394,64
42R$ 1.501,92
45R$ 1.609,20

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6R$ 229,26
9R$ 343,89
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15R$ 573,15
18R$ 687,78
21R$ 802,41
24R$ 917,04
27R$ 1.031,67
30R$ 1.072,80
33R$ 1.180,08
36R$ 1.287,36
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QuantidadePreço unitárioPer Pacote
3 - 27R$ 38,21R$ 114,63
30 - 72R$ 35,76R$ 107,28
75 - 147R$ 34,02R$ 102,06
150 - 297R$ 31,75R$ 95,25
300+R$ 29,60R$ 88,80

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Nexperia

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Maximum Continuous Drain Current

100 A

Maximum Drain Source Voltage

25 V

Package Type

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Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance

1.25 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

1.95V

Minimum Gate Threshold Voltage

1.05V

Maximum Power Dissipation

272 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Width

4.1mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Length

5mm

Typical Gate Charge @ Vgs

110 nC @ 10 V

Maximum Operating Temperature

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Height

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