Vishay N-Channel MOSFET, 18 A, 200 V, 3-Pin D2PAK IRF640SPBF

Nº de Estoque RS: 541-2464PMarca: VishayPart Number: IRF640SPBF
brand-logo
Ver tudo em MOSFETs

Documentos Técnicos

Especificações

Brand

Vishay

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

18 A

Maximum Drain Source Voltage

200 V

Package Type

D2PAK (TO-263)

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

180 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Gate Threshold Voltage

2V

Maximum Power Dissipation

130 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Typical Gate Charge @ Vgs

70 nC @ 10 V

Width

9.65mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Length

10.67mm

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Height

4.83mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Detalhes do produto

N-Channel MOSFET, 200V to 250V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

P.O.A.

Vishay N-Channel MOSFET, 18 A, 200 V, 3-Pin D2PAK IRF640SPBF
Selecione o tipo de embalagem

Embalagem de Produção (Bobina)

Selecione o tipo de embalagem

Padrão - each

Disponível em múltiplos de 1.

Produção -

Disponível em múltiplos de 1.

Recomendado para pedidos em grandes quantidades. Os itens são embalados prontos para serem inseridos no maquinário, permitindo melhorar a eficiência da produção.

1

Disponível em múltiplos de 1
1P.O.A.
2P.O.A.
3P.O.A.
4P.O.A.
5P.O.A.
6P.O.A.
7P.O.A.
8P.O.A.
9P.O.A.
10P.O.A.
11P.O.A.
12P.O.A.
13P.O.A.
14P.O.A.
15P.O.A.

P.O.A.

Vishay N-Channel MOSFET, 18 A, 200 V, 3-Pin D2PAK IRF640SPBF

Informações de estoque temporariamente indisponíveis.

Selecione o tipo de embalagem

Embalagem de Produção (Bobina)

Selecione o tipo de embalagem

Padrão - each

Disponível em múltiplos de 1.

Produção -

Disponível em múltiplos de 1.

Recomendado para pedidos em grandes quantidades. Os itens são embalados prontos para serem inseridos no maquinário, permitindo melhorar a eficiência da produção.

1

Disponível em múltiplos de 1
1P.O.A.
2P.O.A.
3P.O.A.
4P.O.A.
5P.O.A.
6P.O.A.
7P.O.A.
8P.O.A.
9P.O.A.
10P.O.A.
11P.O.A.
12P.O.A.
13P.O.A.
14P.O.A.
15P.O.A.

Informações de estoque temporariamente indisponíveis.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Documentos Técnicos

Especificações

Brand

Vishay

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

18 A

Maximum Drain Source Voltage

200 V

Package Type

D2PAK (TO-263)

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

180 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Gate Threshold Voltage

2V

Maximum Power Dissipation

130 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Typical Gate Charge @ Vgs

70 nC @ 10 V

Width

9.65mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Length

10.67mm

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Height

4.83mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Detalhes do produto

N-Channel MOSFET, 200V to 250V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more