Infineon Dual SiC N-Channel MOSFET, 120 A, 60 V, 3-Pin PG-TO263-3 IPB029N06NF2SATMA1

Nº de Estoque RS: 262-5859Marca: InfineonPart Number: IPB029N06NF2SATMA1
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Documentos Técnicos

Especificações

Brand

Infineon

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

120 A

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Package Type

PG-TO263-3

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Channel Mode

Enhancement

Number of Elements per Chip

2

Transistor Material

SiC

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Informações de estoque temporariamente indisponíveis.

R$ 169,70

R$ 33,94 Each (In a Pack of 5) (Sem VAT)

Infineon Dual SiC N-Channel MOSFET, 120 A, 60 V, 3-Pin PG-TO263-3 IPB029N06NF2SATMA1
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Padrão

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Disponível em múltiplos de 5.

Produção -

Disponível em múltiplos de 5.

Recomendado para pedidos em grandes quantidades. Os itens são embalados prontos para serem inseridos no maquinário, permitindo melhorar a eficiência da produção.

5

Disponível em múltiplos de 5
5R$ 169,70
10R$ 339,40
15R$ 509,10
20R$ 678,80
25R$ 848,50
30R$ 1.018,20
35R$ 1.187,90
40R$ 1.357,60
45R$ 1.527,30
50R$ 1.567,00
55R$ 1.723,70
60R$ 1.880,40
65R$ 2.037,10
70R$ 2.193,80
75R$ 2.350,50

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50R$ 1.567,00
55R$ 1.723,70
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QuantidadePreço unitárioPer Pacote
5 - 45R$ 33,94R$ 169,70
50 - 120R$ 31,34R$ 156,70
125 - 245R$ 29,77R$ 148,85
250 - 495R$ 28,08R$ 140,40
500+R$ 26,34R$ 131,70

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Maximum Continuous Drain Current

120 A

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