Infineon OptiMOS™ Silicon N-Channel MOSFET, 50 A, 60 V, 3-Pin DPAK IPD50N06S4L08ATMA2

Nº de Estoque RS: 222-4666PMarca: InfineonPart Number: IPD50N06S4L08ATMA2
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Documentos Técnicos

Especificações

Brand

Infineon

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

50 A

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Series

OptiMOS™

Package Type

TO-252

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

0.0078 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2.2V

Number of Elements per Chip

1

Transistor Material

Silicon

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15

Disponível em múltiplos de 15
15P.O.A.
30P.O.A.
45P.O.A.
60P.O.A.
75P.O.A.
90P.O.A.
105P.O.A.
120P.O.A.
135P.O.A.
150P.O.A.
165P.O.A.
180P.O.A.
195P.O.A.
210P.O.A.
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Infineon

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

50 A

Maximum Drain Source Voltage

60 V

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OptiMOS™

Package Type

TO-252

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

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