STMicroelectronics N-Channel MOSFET Transistor, 15 A, 3-Pin TO-220 STP26N60DM6

Nº de Estoque RS: 192-4925Marca: STMicroelectronicsPart Number: STP26N60DM6
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Documentos Técnicos

Especificações

Brand

STMicroelectronics

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

15 A

Package Type

TO-220

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

195 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4.75V

Minimum Gate Threshold Voltage

3.25V

Maximum Power Dissipation

110 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

±25 V

Number of Elements per Chip

1

Width

4.6mm

Length

10.4mm

Typical Gate Charge @ Vgs

24 nC @ 10 V

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Forward Diode Voltage

1.6V

Height

15.75mm

País de Origem

China

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Informações de estoque temporariamente indisponíveis.

R$ 174,80

R$ 87,40 Each (In a Pack of 2) (Sem VAT)

STMicroelectronics N-Channel MOSFET Transistor, 15 A, 3-Pin TO-220 STP26N60DM6
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Padrão

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Padrão - each

Disponível em múltiplos de 2.

Produção -

Disponível em múltiplos de 2.

Recomendado para pedidos em grandes quantidades. Os itens são embalados prontos para serem inseridos no maquinário, permitindo melhorar a eficiência da produção.

2

Disponível em múltiplos de 2
2R$ 174,80
4R$ 349,60
6R$ 524,40
8R$ 699,20
10R$ 834,70
12R$ 1.001,64
14R$ 1.168,58
16R$ 1.335,52
18R$ 1.502,46
20R$ 1.604,60
22R$ 1.765,06
24R$ 1.925,52
26R$ 2.085,98
28R$ 2.246,44
30R$ 2.406,90

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12R$ 1.001,64
14R$ 1.168,58
16R$ 1.335,52
18R$ 1.502,46
20R$ 1.604,60
22R$ 1.765,06
24R$ 1.925,52
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QuantidadePreço unitárioPer Pacote
2 - 8R$ 87,40R$ 174,80
10 - 18R$ 83,47R$ 166,94
20 - 48R$ 80,23R$ 160,46
50 - 98R$ 76,94R$ 153,88
100+R$ 74,38R$ 148,76

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Brand

STMicroelectronics

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

15 A

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TO-220

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

195 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4.75V

Minimum Gate Threshold Voltage

3.25V

Maximum Power Dissipation

110 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

±25 V

Number of Elements per Chip

1

Width

4.6mm

Length

10.4mm

Typical Gate Charge @ Vgs

24 nC @ 10 V

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