Dual SiC N-Channel MOSFET, 190 A, 60 V, 3-Pin PG-TO263-3 Infineon IPB013N06NF2SATMA1

Nº de Estoque RS: 262-5848Marca: InfineonPart Number: IPB013N06NF2SATMA1
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Documentos Técnicos

Especificações

Brand

Infineon

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

190 A

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Package Type

PG-TO263-3

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Channel Mode

Enhancement

Number of Elements per Chip

2

Transistor Material

SiC

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R$ 67,70

Each (In a Pack of 2) (Sem VAT)

Dual SiC N-Channel MOSFET, 190 A, 60 V, 3-Pin PG-TO263-3 Infineon IPB013N06NF2SATMA1
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Padrão

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Produção -

Disponível em múltiplos de 2.

Recomendado para pedidos em grandes quantidades. Os itens são embalados prontos para serem inseridos no maquinário, permitindo melhorar a eficiência da produção.

2

Disponível em múltiplos de 2
2R$ 135,40
4R$ 270,80
6R$ 406,20
8R$ 541,60
10R$ 677,00
12R$ 812,40
14R$ 947,80
16R$ 1.083,20
18R$ 1.218,60
20R$ 1.237,60
22R$ 1.361,36
24R$ 1.485,12
26R$ 1.608,88
28R$ 1.732,64
30R$ 1.856,40

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20 - 48R$ 61,88R$ 123,76
50 - 98R$ 58,56R$ 117,12
100 - 198R$ 55,28R$ 110,56
200+R$ 52,45R$ 104,90

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