N-Channel MOSFET, 176 A, 100 V, 3-Pin TO 263 Infineon IPB020N10N5ATMA1

Nº de Estoque RS: 171-1955Marca: InfineonPart Number: IPB020N10N5ATMA1
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Documentos Técnicos

Especificações

Brand

Infineon

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

176 A

Maximum Drain Source Voltage

100 V

Series

OptiMOS™ 5

Package Type

TO 263

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

2.5 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

3.8V

Minimum Gate Threshold Voltage

2.2V

Maximum Power Dissipation

375 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

20 V

Width

11.05mm

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Length

10.31mm

Typical Gate Charge @ Vgs

168 nC @ 10 V

Height

4.57mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Forward Diode Voltage

1.2V

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R$ 74,05

Each (In a Pack of 5) (Sem VAT)

N-Channel MOSFET, 176 A, 100 V, 3-Pin TO 263 Infineon IPB020N10N5ATMA1
Selecione o tipo de embalagem

Padrão

Selecione o tipo de embalagem

Padrão - each

Disponível em múltiplos de 5.

Produção -

Disponível em múltiplos de 5.

Recomendado para pedidos em grandes quantidades. Os itens são embalados prontos para serem inseridos no maquinário, permitindo melhorar a eficiência da produção.

5

Disponível em múltiplos de 5
5R$ 370,25
10R$ 740,50
15R$ 1.110,75
20R$ 1.481,00
25R$ 1.851,25
30R$ 2.221,50
35R$ 2.591,75
40R$ 2.962,00
45R$ 3.332,25
50R$ 3.702,50
55R$ 4.072,75
60R$ 4.443,00
65R$ 4.813,25
70R$ 5.183,50
75R$ 5.553,75

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35R$ 2.591,75
40R$ 2.962,00
45R$ 3.332,25
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N

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176 A

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TO 263

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

2.5 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

3.8V

Minimum Gate Threshold Voltage

2.2V

Maximum Power Dissipation

375 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

20 V

Width

11.05mm

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Length

10.31mm

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