Documentos Técnicos
Especificações
Brand
PanasonicChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
4 A
Maximum Drain Source Voltage
12 V
Series
MTM
Package Type
Smini3-G1-B
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
30 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
500 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-8 V, +8 V
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
2mm
Width
1.25mm
Transistor Material
Si
Height
0.8mm
Detalhes do produto
P-Channel MOSFET, Panasonic
MOSFET Transistors, Panasonic
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P.O.A.
Embalagem de Produção (Bobina)
50
P.O.A.
Embalagem de Produção (Bobina)
50
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Brand
PanasonicChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
4 A
Maximum Drain Source Voltage
12 V
Series
MTM
Package Type
Smini3-G1-B
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
30 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
500 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-8 V, +8 V
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
2mm
Width
1.25mm
Transistor Material
Si
Height
0.8mm
Detalhes do produto