N-Channel MOSFET, 73 A, 30 V, 8-Pin VSONP Texas Instruments CSD17307Q5A

Nº de Estoque RS: 827-4833Marca: Texas InstrumentsPart Number: CSD17307Q5A
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Documentos Técnicos

Especificações

Brand

Texas Instruments

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

73 A

Maximum Drain Source Voltage

30 V

Series

NexFET

Package Type

VSONP

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance

17.3 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

1.8V

Minimum Gate Threshold Voltage

0.9V

Maximum Power Dissipation

3 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-8 V, +10 V

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

5.8mm

Typical Gate Charge @ Vgs

4 nC @ 4.5 V

Width

5mm

Transistor Material

Si

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Height

1.1mm

Detalhes do produto

N-Channel NexFET™ Power MOSFET, Texas Instruments

MOSFET Transistors, Texas Instruments

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R$ 10,81

Each (In a Pack of 10) (Sem VAT)

N-Channel MOSFET, 73 A, 30 V, 8-Pin VSONP Texas Instruments CSD17307Q5A
Selecione o tipo de embalagem

Padrão

Selecione o tipo de embalagem

Padrão - each

Disponível em múltiplos de 10.

Produção -

Disponível em múltiplos de 10.

Recomendado para pedidos em grandes quantidades. Os itens são embalados prontos para serem inseridos no maquinário, permitindo melhorar a eficiência da produção.

10

Disponível em múltiplos de 10
10R$ 108,10
20R$ 216,20
30R$ 324,30
40R$ 432,40
50R$ 540,50
60R$ 648,60
70R$ 756,70
80R$ 864,80
90R$ 972,90
100R$ 1.081,00
110R$ 1.189,10
120R$ 1.297,20
130R$ 1.405,30
140R$ 1.513,40
150R$ 1.621,50

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70R$ 756,70
80R$ 864,80
90R$ 972,90
100R$ 1.081,00
110R$ 1.189,10
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N

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73 A

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30 V

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NexFET

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VSONP

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance

17.3 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

1.8V

Minimum Gate Threshold Voltage

0.9V

Maximum Power Dissipation

3 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-8 V, +10 V

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

5.8mm

Typical Gate Charge @ Vgs

4 nC @ 4.5 V

Width

5mm

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Si

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