Documentos Técnicos
Especificações
Brand
DiodesZetexChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
170 mA
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Package Type
SOT-23
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
10 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
300 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
3mm
Number of Elements per Chip
1
Width
1.4mm
Transistor Material
Si
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
1.1mm
País de Origem
China
Detalhes do produto
N-Channel MOSFET, 100V to 950V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Informações de estoque temporariamente indisponíveis.
Verifique novamente mais tarde.
P.O.A.
Embalagem de Produção (Bobina)
100
P.O.A.
Embalagem de Produção (Bobina)
100
Documentos Técnicos
Especificações
Brand
DiodesZetexChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
170 mA
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Package Type
SOT-23
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
10 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
300 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
3mm
Number of Elements per Chip
1
Width
1.4mm
Transistor Material
Si
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
1.1mm
País de Origem
China
Detalhes do produto