Diodes Inc P-Channel MOSFET, 2 A, 30 V, 3-Pin SOT-23 DMP3160L-7

Nº de Estoque RS: 822-2649PMarca: DiodesZetexPart Number: DMP3160L-7
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Documentos Técnicos

Especificações

Brand

DiodesZetex

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

2 A

Maximum Drain Source Voltage

30 V

Package Type

SOT-23

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

190 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2.1V

Maximum Power Dissipation

1.08 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Width

1.4mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Length

3mm

Typical Gate Charge @ Vgs

8.2 nC @ 10 V

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Height

1mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Detalhes do produto

P-Channel MOSFET, 30V, Diodes Inc

MOSFET Transistors, Diodes Inc.

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P.O.A.

Each (Supplied on a Reel) (Sem VAT)

Diodes Inc P-Channel MOSFET, 2 A, 30 V, 3-Pin SOT-23 DMP3160L-7
Selecione o tipo de embalagem

Embalagem de Produção (Bobina)

Selecione o tipo de embalagem

Padrão - each

Disponível em múltiplos de 50.

Produção -

Disponível em múltiplos de 50.

Recomendado para pedidos em grandes quantidades. Os itens são embalados prontos para serem inseridos no maquinário, permitindo melhorar a eficiência da produção.

50

Disponível em múltiplos de 50
50P.O.A.
100P.O.A.
150P.O.A.
200P.O.A.
250P.O.A.
300P.O.A.
350P.O.A.
400P.O.A.
450P.O.A.
500P.O.A.
550P.O.A.
600P.O.A.
650P.O.A.
700P.O.A.
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Pin Count

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Maximum Drain Source Resistance

190 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2.1V

Maximum Power Dissipation

1.08 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Width

1.4mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Length

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