Documentos Técnicos
Especificações
Brand
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
202 A
Maximum Drain Source Voltage
1200 V
Series
AIM
Package Type
PG-TO247-4
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
4
Channel Mode
Enhancement
Number of Elements per Chip
1
Transistor Material
SiC
País de Origem
China
R$ 1.289,28
R$ 1.289,28 Each (Sem VAT)
Infineon AIM SiC N-Channel MOSFET, 202 A, 1200 V, 4-Pin PG-TO247-4 AIMZH120R010M1TXKSA1
1
R$ 1.289,28
R$ 1.289,28 Each (Sem VAT)
Infineon AIM SiC N-Channel MOSFET, 202 A, 1200 V, 4-Pin PG-TO247-4 AIMZH120R010M1TXKSA1
Informações de estoque temporariamente indisponíveis.
1
Informações de estoque temporariamente indisponíveis.
| Quantidade | Preço unitário |
|---|---|
| 1 - 9 | R$ 1.289,28 |
| 10+ | R$ 1.178,21 |
Documentos Técnicos
Especificações
Brand
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
202 A
Maximum Drain Source Voltage
1200 V
Series
AIM
Package Type
PG-TO247-4
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
4
Channel Mode
Enhancement
Number of Elements per Chip
1
Transistor Material
SiC
País de Origem
China


