Documentos Técnicos
Especificações
Brand
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
31 A
Maximum Drain Source Voltage
1200 V
Series
AIM
Package Type
PG-TO247-4
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
4
Channel Mode
Enhancement
Transistor Material
SiC
Number of Elements per Chip
1
País de Origem
China
R$ 228,76
R$ 228,76 Each (Sem VAT)
Infineon AIM SiC N-Channel MOSFET, 31 A, 1200 V, 4-Pin PG-TO247-4 AIMZH120R080M1TXKSA1
1
R$ 228,76
R$ 228,76 Each (Sem VAT)
Infineon AIM SiC N-Channel MOSFET, 31 A, 1200 V, 4-Pin PG-TO247-4 AIMZH120R080M1TXKSA1
Informações de estoque temporariamente indisponíveis.
1
Informações de estoque temporariamente indisponíveis.
| Quantidade | Preço unitário |
|---|---|
| 1 - 9 | R$ 228,76 |
| 10 - 99 | R$ 209,03 |
| 100 - 499 | R$ 195,79 |
| 500 - 999 | R$ 184,16 |
| 1000+ | R$ 167,36 |
Documentos Técnicos
Especificações
Brand
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
31 A
Maximum Drain Source Voltage
1200 V
Series
AIM
Package Type
PG-TO247-4
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
4
Channel Mode
Enhancement
Transistor Material
SiC
Number of Elements per Chip
1
País de Origem
China


