Infineon BFR193E6327HTSA1 NPN RF Bipolar Transistor, 80 mA, 12 V, 3-Pin SOT-23

Nº de Estoque RS: 823-5538PMarca: InfineonPart Number: BFR193E6327HTSA1
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Documentos Técnicos

Especificações

Brand

Infineon

Transistor Type

NPN

Maximum DC Collector Current

80 mA

Maximum Collector Emitter Voltage

12 V

Package Type

SOT-23

Mounting Type

Surface Mount

Maximum Power Dissipation

580 mW

Transistor Configuration

Single

Maximum Collector Base Voltage

20 V

Maximum Emitter Base Voltage

2 V

Maximum Operating Frequency

8 GHz

Pin Count

3

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Dimensions

2.9 x 1.3 x 1mm

País de Origem

China

Detalhes do produto

RF Bipolar Transistors, Infineon

Bipolar Transistors, Infineon

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P.O.A.

Each (Supplied on a Reel) (Sem VAT)

Infineon BFR193E6327HTSA1 NPN RF Bipolar Transistor, 80 mA, 12 V, 3-Pin SOT-23
Selecione o tipo de embalagem

Embalagem de Produção (Bobina)

Selecione o tipo de embalagem

Padrão - each

Disponível em múltiplos de 25.

Produção -

Disponível em múltiplos de 25.

Recomendado para pedidos em grandes quantidades. Os itens são embalados prontos para serem inseridos no maquinário, permitindo melhorar a eficiência da produção.

25

Disponível em múltiplos de 25
25P.O.A.
50P.O.A.
75P.O.A.
100P.O.A.
125P.O.A.
150P.O.A.
175P.O.A.
200P.O.A.
225P.O.A.
250P.O.A.
275P.O.A.
300P.O.A.
325P.O.A.
350P.O.A.
375P.O.A.

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80 mA

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12 V

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SOT-23

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Surface Mount

Maximum Power Dissipation

580 mW

Transistor Configuration

Single

Maximum Collector Base Voltage

20 V

Maximum Emitter Base Voltage

2 V

Maximum Operating Frequency

8 GHz

Pin Count

3

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1

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