Infineon BFR193WH6327XTSA1 NPN RF Bipolar Transistor, 80 mA, 12 V, 3-Pin SOT-323

Nº de Estoque RS: 826-9364PMarca: InfineonPart Number: BFR193WH6327XTSA1
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Documentos Técnicos

Especificações

Brand

Infineon

Transistor Type

NPN

Maximum DC Collector Current

80 mA

Maximum Collector Emitter Voltage

12 V

Package Type

SOT-323 (SC-70)

Mounting Type

Surface Mount

Maximum Power Dissipation

580 mW

Transistor Configuration

Single

Maximum Collector Base Voltage

20 V

Maximum Emitter Base Voltage

2 V

Maximum Operating Frequency

8 GHz

Pin Count

3

Number of Elements per Chip

1

Dimensions

2 x 1.25 x 0.8mm

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Detalhes do produto

RF Bipolar Transistors, Infineon

Bipolar Transistors, Infineon

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100

Disponível em múltiplos de 100
100P.O.A.
200P.O.A.
300P.O.A.
400P.O.A.
500P.O.A.
600P.O.A.
700P.O.A.
800P.O.A.
900P.O.A.
1000P.O.A.
1100P.O.A.
1200P.O.A.
1300P.O.A.
1400P.O.A.
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Maximum Power Dissipation

580 mW

Transistor Configuration

Single

Maximum Collector Base Voltage

20 V

Maximum Emitter Base Voltage

2 V

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