N-Channel MOSFET, 100 A, 40 V, 8-Pin TDSON Infineon BSC014N04LSATMA1

Nº de Estoque RS: 171-1961Marca: InfineonPart Number: BSC014N04LSATMA1
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Documentos Técnicos

Especificações

Brand

Infineon

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

100 A

Maximum Drain Source Voltage

40 V

Package Type

TDSON

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance

1.9 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2V

Minimum Gate Threshold Voltage

1.2V

Maximum Power Dissipation

96 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

20 V

Width

6.15mm

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

5.15mm

Typical Gate Charge @ Vgs

61 nC @ 10 V

Series

BSC014N04LS

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Height

1.1mm

Forward Diode Voltage

1V

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R$ 22,55

Each (In a Pack of 10) (Sem VAT)

N-Channel MOSFET, 100 A, 40 V, 8-Pin TDSON Infineon BSC014N04LSATMA1
Selecione o tipo de embalagem

Selecione o tipo de embalagem

Padrão - each

Disponível em múltiplos de 10.

Produção -

Disponível em múltiplos de 10.

Recomendado para pedidos em grandes quantidades. Os itens são embalados prontos para serem inseridos no maquinário, permitindo melhorar a eficiência da produção.

10

Disponível em múltiplos de 10
10R$ 225,50
20R$ 451,00
30R$ 676,50
40R$ 902,00
50R$ 927,50
60R$ 1.113,00
70R$ 1.298,50
80R$ 1.484,00
90R$ 1.669,50
100R$ 1.768,00
110R$ 1.944,80
120R$ 2.121,60
130R$ 2.298,40
140R$ 2.475,20
150R$ 2.652,00

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60R$ 1.113,00
70R$ 1.298,50
80R$ 1.484,00
90R$ 1.669,50
100R$ 1.768,00
110R$ 1.944,80
120R$ 2.121,60
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QuantidadePreço unitárioPer Pacote
10 - 40R$ 22,55R$ 225,50
50 - 90R$ 18,55R$ 185,50
100 - 240R$ 17,68R$ 176,80
250 - 490R$ 16,75R$ 167,50
500+R$ 15,79R$ 157,90

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Infineon

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

100 A

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40 V

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Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance

1.9 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2V

Minimum Gate Threshold Voltage

1.2V

Maximum Power Dissipation

96 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

20 V

Width

6.15mm

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

5.15mm

Typical Gate Charge @ Vgs

61 nC @ 10 V

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