Transistor, MOS, N ch,50V,BSS138N

Nº de Estoque RS: 167-970Marca: InfineonPart Number: BSS138N
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Documentos Técnicos

Especificações

Brand

Infineon

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

230 mA

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Package Type

PG-SOT-23

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

6 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation

360 mW

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Number of Elements per Chip

1

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

2.9mm

Typical Gate Charge @ Vgs

1.4 nC @ 10 V

Height

1mm

Width

1.3mm

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onsemi N-Channel MOSFET, 200 mA, 50 V, 3-Pin SOT-23 BSS138LT1G
onsemi N-Channel MOSFET, 200 mA, 50 V, 3-Pin SOT-23 BSS138LT1GMarca: onsemi
R$ 3,54Each (In a Pack of 25) (Sem VAT)
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Each (In a Pack of 100) (Sem VAT)

Transistor, MOS, N ch,50V,BSS138N
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Padrão

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Padrão - each

Disponível em múltiplos de 100.

Produção -

Disponível em múltiplos de 100.

Recomendado para pedidos em grandes quantidades. Os itens são embalados prontos para serem inseridos no maquinário, permitindo melhorar a eficiência da produção.

100

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100P.O.A.
200P.O.A.
300P.O.A.
400P.O.A.
500P.O.A.
600P.O.A.
700P.O.A.
800P.O.A.
900P.O.A.
1000P.O.A.
1100P.O.A.
1200P.O.A.
1300P.O.A.
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230 mA

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PG-SOT-23

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Surface Mount

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3

Maximum Drain Source Resistance

6 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation

360 mW

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Number of Elements per Chip

1

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-55 °C

Maximum Operating Temperature

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1.4 nC @ 10 V

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