Documentos Técnicos
Especificações
Brand
InfineonChannel Type
Dual N
Maximum Continuous Drain Current
925 A
Maximum Drain Source Voltage
3300 V
Package Type
Tray
Series
XHP
Mounting Type
Screw Mount
Channel Mode
Enhancement
Transistor Material
SiC
Number of Elements per Chip
2
País de Origem
Germany
Informações de estoque temporariamente indisponíveis.
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Informações de estoque temporariamente indisponíveis.
R$ 142.979,40
R$ 142.979,40 Each (Sem VAT)
Dual SiC Dual N-Channel MOSFET, 925 A, 3300 V Tray Infineon FF2000UXTR33T2M1BPSA1
1
R$ 142.979,40
R$ 142.979,40 Each (Sem VAT)
Dual SiC Dual N-Channel MOSFET, 925 A, 3300 V Tray Infineon FF2000UXTR33T2M1BPSA1
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1
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Especificações
Brand
InfineonChannel Type
Dual N
Maximum Continuous Drain Current
925 A
Maximum Drain Source Voltage
3300 V
Package Type
Tray
Series
XHP
Mounting Type
Screw Mount
Channel Mode
Enhancement
Transistor Material
SiC
Number of Elements per Chip
2
País de Origem
Germany