Documentos Técnicos
Especificações
Brand
InfineonMaximum Continuous Collector Current
30 A
Maximum Collector Emitter Voltage
650 V
Maximum Gate Emitter Voltage
±20 V, ±30V
Maximum Power Dissipation
188 W
Number of Transistors
1
Package Type
TO-263
Mounting Type
Through Hole
Channel Type
N
Pin Count
3
Informações de estoque temporariamente indisponíveis.
Verifique novamente mais tarde.
Informações de estoque temporariamente indisponíveis.
R$ 36,28
Each (On a Reel of 1000) (Sem VAT)
Infineon IKB30N65EH5ATMA1 IGBT, 30 A 650 V, 3-Pin TO-263, Through Hole
1000
R$ 36,28
Each (On a Reel of 1000) (Sem VAT)
Infineon IKB30N65EH5ATMA1 IGBT, 30 A 650 V, 3-Pin TO-263, Through Hole
Informações de estoque temporariamente indisponíveis.
1000
Documentos Técnicos
Especificações
Brand
InfineonMaximum Continuous Collector Current
30 A
Maximum Collector Emitter Voltage
650 V
Maximum Gate Emitter Voltage
±20 V, ±30V
Maximum Power Dissipation
188 W
Number of Transistors
1
Package Type
TO-263
Mounting Type
Through Hole
Channel Type
N
Pin Count
3