Documentos Técnicos
Especificações
Brand
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
191 A
Maximum Drain Source Voltage
40 V
Package Type
PG-TO263-3
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Channel Mode
Enhancement
Number of Elements per Chip
2
Transistor Material
SiC
Informações de estoque temporariamente indisponíveis.
Verifique novamente mais tarde.
Informações de estoque temporariamente indisponíveis.
R$ 18,17
Each (On a Reel of 800) (Sem VAT)
Dual SiC N-Channel MOSFET, 191 A, 40 V, 3-Pin PG-TO263-3 Infineon IPB014N04NF2SATMA1
800
R$ 18,17
Each (On a Reel of 800) (Sem VAT)
Dual SiC N-Channel MOSFET, 191 A, 40 V, 3-Pin PG-TO263-3 Infineon IPB014N04NF2SATMA1
Informações de estoque temporariamente indisponíveis.
800
Documentos Técnicos
Especificações
Brand
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
191 A
Maximum Drain Source Voltage
40 V
Package Type
PG-TO263-3
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Channel Mode
Enhancement
Number of Elements per Chip
2
Transistor Material
SiC