Dual SiC N-Channel MOSFET, 187 A, 60 V, 3-Pin PG-TO263-3 Infineon IPB018N06NF2SATMA1

Nº de Estoque RS: 262-5855Marca: InfineonPart Number: IPB018N06NF2SATMA1
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Documentos Técnicos

Especificações

Brand

Infineon

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

187 A

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Package Type

PG-TO263-3

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Channel Mode

Enhancement

Number of Elements per Chip

2

Transistor Material

SiC

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R$ 34,04

Each (In a Pack of 5) (Sem VAT)

Dual SiC N-Channel MOSFET, 187 A, 60 V, 3-Pin PG-TO263-3 Infineon IPB018N06NF2SATMA1
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Padrão

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Padrão - each

Disponível em múltiplos de 5.

Produção -

Disponível em múltiplos de 5.

Recomendado para pedidos em grandes quantidades. Os itens são embalados prontos para serem inseridos no maquinário, permitindo melhorar a eficiência da produção.

5

Disponível em múltiplos de 5
5R$ 170,20
10R$ 340,40
15R$ 510,60
20R$ 680,80
25R$ 777,50
30R$ 933,00
35R$ 1.088,50
40R$ 1.244,00
45R$ 1.399,50
50R$ 1.473,50
55R$ 1.620,85
60R$ 1.768,20
65R$ 1.915,55
70R$ 2.062,90
75R$ 2.210,25

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Comprar em grandes quantidades

QuantidadePreço unitárioPer Pacote
5 - 20R$ 34,04R$ 170,20
25 - 45R$ 31,10R$ 155,50
50 - 120R$ 29,47R$ 147,35
125 - 245R$ 27,78R$ 138,90
250+R$ 25,98R$ 129,90

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