Dual SiC N-Channel MOSFET, 120 A, 60 V, 3-Pin PG-TO263-3 Infineon IPB029N06NF2SATMA1

Nº de Estoque RS: 262-5859Marca: InfineonPart Number: IPB029N06NF2SATMA1
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Documentos Técnicos

Especificações

Brand

Infineon

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

120 A

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Package Type

PG-TO263-3

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Channel Mode

Enhancement

Number of Elements per Chip

2

Transistor Material

SiC

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R$ 28,14

Each (In a Pack of 5) (Sem VAT)

Dual SiC N-Channel MOSFET, 120 A, 60 V, 3-Pin PG-TO263-3 Infineon IPB029N06NF2SATMA1
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Padrão - each

Disponível em múltiplos de 5.

Produção -

Disponível em múltiplos de 5.

Recomendado para pedidos em grandes quantidades. Os itens são embalados prontos para serem inseridos no maquinário, permitindo melhorar a eficiência da produção.

5

Disponível em múltiplos de 5
5R$ 140,70
10R$ 281,40
15R$ 422,10
20R$ 562,80
25R$ 703,50
30R$ 844,20
35R$ 984,90
40R$ 1.125,60
45R$ 1.266,30
50R$ 1.298,00
55R$ 1.427,80
60R$ 1.557,60
65R$ 1.687,40
70R$ 1.817,20
75R$ 1.947,00

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QuantidadePreço unitárioPer Pacote
5 - 45R$ 28,14R$ 140,70
50 - 120R$ 25,96R$ 129,80
125 - 245R$ 24,65R$ 123,25
250 - 495R$ 23,26R$ 116,30
500+R$ 21,82R$ 109,10

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