Dual SiC N-Channel MOSFET, 120 A, 60 V, 3-Pin PG-TO263-3 Infineon IPB029N06NF2SATMA1

Nº de Estoque RS: 262-5859Marca: InfineonPart Number: IPB029N06NF2SATMA1
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Documentos Técnicos

Especificações

Brand

Infineon

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

120 A

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Package Type

PG-TO263-3

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Channel Mode

Enhancement

Number of Elements per Chip

2

Transistor Material

SiC

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R$ 33,70

Each (In a Pack of 5) (Sem VAT)

Dual SiC N-Channel MOSFET, 120 A, 60 V, 3-Pin PG-TO263-3 Infineon IPB029N06NF2SATMA1
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Padrão

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Disponível em múltiplos de 5.

Produção -

Disponível em múltiplos de 5.

Recomendado para pedidos em grandes quantidades. Os itens são embalados prontos para serem inseridos no maquinário, permitindo melhorar a eficiência da produção.

5

Disponível em múltiplos de 5
5R$ 168,50
10R$ 337,00
15R$ 505,50
20R$ 674,00
25R$ 842,50
30R$ 1.011,00
35R$ 1.179,50
40R$ 1.348,00
45R$ 1.516,50
50R$ 1.555,00
55R$ 1.710,50
60R$ 1.866,00
65R$ 2.021,50
70R$ 2.177,00
75R$ 2.332,50

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QuantidadePreço unitárioPer Pacote
5 - 45R$ 33,70R$ 168,50
50 - 120R$ 31,10R$ 155,50
125 - 245R$ 29,52R$ 147,60
250 - 495R$ 27,86R$ 139,30
500+R$ 26,12R$ 130,60

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