Dual SiC N-Channel MOSFET, 120 A, 60 V, 3-Pin PG-TO263-3 Infineon IPB029N06NF2SATMA1

Nº de Estoque RS: 262-5859Marca: InfineonPart Number: IPB029N06NF2SATMA1
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Documentos Técnicos

Especificações

Brand

Infineon

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

120 A

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Package Type

PG-TO263-3

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Channel Mode

Enhancement

Number of Elements per Chip

2

Transistor Material

SiC

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R$ 32,46

Each (In a Pack of 5) (Sem VAT)

Dual SiC N-Channel MOSFET, 120 A, 60 V, 3-Pin PG-TO263-3 Infineon IPB029N06NF2SATMA1
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Padrão

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Disponível em múltiplos de 5.

Produção -

Disponível em múltiplos de 5.

Recomendado para pedidos em grandes quantidades. Os itens são embalados prontos para serem inseridos no maquinário, permitindo melhorar a eficiência da produção.

5

Disponível em múltiplos de 5
5R$ 162,30
10R$ 324,60
15R$ 486,90
20R$ 649,20
25R$ 811,50
30R$ 973,80
35R$ 1.136,10
40R$ 1.298,40
45R$ 1.460,70
50R$ 1.498,00
55R$ 1.647,80
60R$ 1.797,60
65R$ 1.947,40
70R$ 2.097,20
75R$ 2.247,00

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QuantidadePreço unitárioPer Pacote
5 - 45R$ 32,46R$ 162,30
50 - 120R$ 29,96R$ 149,80
125 - 245R$ 28,46R$ 142,30
250 - 495R$ 26,86R$ 134,30
500+R$ 25,16R$ 125,80

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