Dual SiC N-Channel MOSFET, 120 A, 60 V, 3-Pin PG-TO252-3 Infineon IPD038N06NF2SATMA1

Nº de Estoque RS: 262-5867Marca: InfineonPart Number: IPD038N06NF2SATMA1
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Documentos Técnicos

Especificações

Brand

Infineon

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

120 A

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Package Type

PG-TO252-3

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Channel Mode

Enhancement

Number of Elements per Chip

2

Transistor Material

SiC

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R$ 13,34

Each (In a Pack of 10) (Sem VAT)

Dual SiC N-Channel MOSFET, 120 A, 60 V, 3-Pin PG-TO252-3 Infineon IPD038N06NF2SATMA1
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Padrão - each

Disponível em múltiplos de 10.

Produção -

Disponível em múltiplos de 10.

Recomendado para pedidos em grandes quantidades. Os itens são embalados prontos para serem inseridos no maquinário, permitindo melhorar a eficiência da produção.

10

Disponível em múltiplos de 10
10R$ 133,40
20R$ 266,80
30R$ 400,20
40R$ 533,60
50R$ 667,00
60R$ 800,40
70R$ 933,80
80R$ 1.067,20
90R$ 1.200,60
100R$ 1.285,00
110R$ 1.413,50
120R$ 1.542,00
130R$ 1.670,50
140R$ 1.799,00
150R$ 1.927,50

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100 - 240R$ 12,85R$ 128,50
250 - 490R$ 12,53R$ 125,30
500 - 990R$ 12,12R$ 121,20
1000+R$ 7,76R$ 77,60

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