N-Channel MOSFET, 90 A, 100 V, 3-Pin DPAK Infineon IPD068N10N3GATMA1

Nº de Estoque RS: 171-1939Marca: InfineonPart Number: IPD068N10N3GATMA1
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Documentos Técnicos

Especificações

Brand

Infineon

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

90 A

Maximum Drain Source Voltage

100 V

Series

IPD068N10N3 G

Package Type

TO-252

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

12.3 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

3.5V

Minimum Gate Threshold Voltage

2V

Maximum Power Dissipation

150 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

20 V

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Length

6.73mm

Typical Gate Charge @ Vgs

51 nC @ 10 V

Width

7.47mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Forward Diode Voltage

1.2V

Height

2.41mm

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R$ 20,08

Each (In a Pack of 10) (Sem VAT)

N-Channel MOSFET, 90 A, 100 V, 3-Pin DPAK Infineon IPD068N10N3GATMA1
Selecione o tipo de embalagem

Selecione o tipo de embalagem

Padrão - each

Disponível em múltiplos de 10.

Produção -

Disponível em múltiplos de 10.

Recomendado para pedidos em grandes quantidades. Os itens são embalados prontos para serem inseridos no maquinário, permitindo melhorar a eficiência da produção.

10

Disponível em múltiplos de 10
10R$ 200,80
20R$ 401,60
30R$ 602,40
40R$ 803,20
50R$ 1.004,00
60R$ 1.204,80
70R$ 1.405,60
80R$ 1.606,40
90R$ 1.807,20
100R$ 2.008,00
110R$ 2.208,80
120R$ 2.409,60
130R$ 2.610,40
140R$ 2.811,20
150R$ 3.012,00

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70R$ 1.405,60
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N

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90 A

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Package Type

TO-252

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

12.3 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

3.5V

Minimum Gate Threshold Voltage

2V

Maximum Power Dissipation

150 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

20 V

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Length

6.73mm

Typical Gate Charge @ Vgs

51 nC @ 10 V

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