Infineon OptiMOS™ Silicon N-Channel MOSFET, 60 A, 100 V, 3-Pin DPAK IPD60N10S4L12ATMA1

Nº de Estoque RS: 222-4669PMarca: InfineonPart Number: IPD60N10S4L12ATMA1
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Documentos Técnicos

Especificações

Brand

Infineon

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

60 A

Maximum Drain Source Voltage

100 V

Series

OptiMOS™

Package Type

TO-252

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

0.012 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2.1V

Transistor Material

Silicon

Number of Elements per Chip

1

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20P.O.A.
30P.O.A.
40P.O.A.
50P.O.A.
60P.O.A.
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100P.O.A.
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Infineon

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N

Maximum Continuous Drain Current

60 A

Maximum Drain Source Voltage

100 V

Series

OptiMOS™

Package Type

TO-252

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

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