Infineon P-Channel MOSFET, 8 A, 30 V, 8-Pin SO-8 SI4435DYTRPBF

Nº de Estoque RS: 171-1913PMarca: InfineonPart Number: SI4435DYTRPBF
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Documentos Técnicos

Especificações

Brand

Infineon

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

8 A

Maximum Drain Source Voltage

30 V

Series

Si4435DYPbF

Package Type

SO-8

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance

35 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

0

Minimum Gate Threshold Voltage

1V

Maximum Power Dissipation

2.5 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

20 V

Width

4mm

Number of Elements per Chip

1

Length

5mm

Typical Gate Charge @ Vgs

40 nC @ 10 V

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Height

1.5mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Forward Diode Voltage

1.2V

Typical Power Gain

0

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P.O.A.

Each (Supplied on a Reel) (Sem VAT)

Infineon P-Channel MOSFET, 8 A, 30 V, 8-Pin SO-8 SI4435DYTRPBF
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Embalagem de Produção (Bobina)

Selecione o tipo de embalagem

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Disponível em múltiplos de 10.

Produção -

Disponível em múltiplos de 10.

Recomendado para pedidos em grandes quantidades. Os itens são embalados prontos para serem inseridos no maquinário, permitindo melhorar a eficiência da produção.

10

Disponível em múltiplos de 10
10P.O.A.
20P.O.A.
30P.O.A.
40P.O.A.
50P.O.A.
60P.O.A.
70P.O.A.
80P.O.A.
90P.O.A.
100P.O.A.
110P.O.A.
120P.O.A.
130P.O.A.
140P.O.A.
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8

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35 mΩ

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1V

Maximum Power Dissipation

2.5 W

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Single

Maximum Gate Source Voltage

20 V

Width

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