IXYS HiperFET, Polar N-Channel MOSFET, 44 A, 500 V, 3-Pin TO-247AD IXFH44N50P

Nº de Estoque RS: 194-552Marca: IXYSPart Number: IXFH44N50PDistrelec Article No.: 30253324
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Documentos Técnicos

Especificações

Brand

IXYS

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

44 A

Maximum Drain Source Voltage

500 V

Series

HiperFET, Polar

Package Type

TO-247AD

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

140 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

5V

Maximum Power Dissipation

650 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-30 V, +30 V

Typical Gate Charge @ Vgs

98 nC @ 10 V

Width

5.3mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Length

16.26mm

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Height

21.46mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Detalhes do produto

N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ Series

N-Channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) from IXYS

MOSFET Transistors, IXYS

A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS

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Informações de estoque temporariamente indisponíveis.

R$ 240,38

R$ 240,38 Each (Sem VAT)

IXYS HiperFET, Polar N-Channel MOSFET, 44 A, 500 V, 3-Pin TO-247AD IXFH44N50P
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Padrão

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Padrão - each

Disponível em múltiplos de 1.

Produção -

Disponível em múltiplos de 1.

Recomendado para pedidos em grandes quantidades. Os itens são embalados prontos para serem inseridos no maquinário, permitindo melhorar a eficiência da produção.

1

Disponível em múltiplos de 1
1R$ 240,38
2R$ 480,76
3R$ 721,14
4R$ 961,52
5R$ 1.201,90
6R$ 1.260,72
7R$ 1.470,84
8R$ 1.680,96
9R$ 1.891,08
10R$ 2.101,20
11R$ 2.311,32
12R$ 2.521,44
13R$ 2.731,56
14R$ 2.941,68
15R$ 3.048,45

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6R$ 1.260,72
7R$ 1.470,84
8R$ 1.680,96
9R$ 1.891,08
10R$ 2.101,20
11R$ 2.311,32
12R$ 2.521,44
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QuantidadePreço unitário
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6 - 14R$ 210,12
15+R$ 203,23

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IXYS

Channel Type

N

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44 A

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500 V

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Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

140 mΩ

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Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

5V

Maximum Power Dissipation

650 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-30 V, +30 V

Typical Gate Charge @ Vgs

98 nC @ 10 V

Width

5.3mm

Transistor Material

Si

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1

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16.26mm

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Height

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Minimum Operating Temperature

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