IXYS HiperFET, Polar N-Channel MOSFET, 115 A, 300 V, 4-Pin SOT-227 IXFN140N30P

Nº de Estoque RS: 193-739Marca: IXYSPart Number: IXFN140N30PDistrelec Article No.: 30253363
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Documentos Técnicos

Especificações

Brand

IXYS

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

115 A

Maximum Drain Source Voltage

300 V

Package Type

SOT-227

Series

HiperFET, Polar

Mounting Type

Screw Mount

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance

24 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

5V

Maximum Power Dissipation

700 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Length

38.2mm

Typical Gate Charge @ Vgs

185 nC @ 10 V

Width

25.07mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Height

9.6mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Detalhes do produto

N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ Series

N-Channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) from IXYS

MOSFET Transistors, IXYS

A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS

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IXYS HiperFET, Polar N-Channel MOSFET, 115 A, 300 V, 4-Pin SOT-227 IXFN140N30P
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Disponível em múltiplos de 1.

Produção -

Disponível em múltiplos de 1.

Recomendado para pedidos em grandes quantidades. Os itens são embalados prontos para serem inseridos no maquinário, permitindo melhorar a eficiência da produção.

1

Disponível em múltiplos de 1
1R$ 597,77
2R$ 1.189,88
3R$ 1.784,82
4R$ 2.379,76
5R$ 2.925,80
6R$ 3.510,96
7R$ 4.096,12
8R$ 4.681,28
9R$ 5.266,44
10R$ 5.851,60
11R$ 6.436,76
12R$ 7.021,92
13R$ 7.607,08
14R$ 8.192,24
15R$ 8.777,40

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6R$ 3.510,96
7R$ 4.096,12
8R$ 4.681,28
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10R$ 5.851,60
11R$ 6.436,76
12R$ 7.021,92
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Especificações

Brand

IXYS

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

115 A

Maximum Drain Source Voltage

300 V

Package Type

SOT-227

Series

HiperFET, Polar

Mounting Type

Screw Mount

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance

24 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

5V

Maximum Power Dissipation

700 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Length

38.2mm

Typical Gate Charge @ Vgs

185 nC @ 10 V

Width

25.07mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Height

9.6mm

Minimum Operating Temperature

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