P-Channel MOSFET, 225 mA, 200 V, 3-Pin SOT-223 Nexperia BSP220,115

Nº de Estoque RS: 725-8379Marca: NexperiaPart Number: BSP220,115
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Documentos Técnicos

Especificações

Brand

Nexperia

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

225 mA

Maximum Drain Source Voltage

200 V

Package Type

SOT-223

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

12 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2.8V

Minimum Gate Threshold Voltage

0.8V

Maximum Power Dissipation

1.5 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

6.7mm

Width

3.7mm

Transistor Material

Si

Height

1.7mm

País de Origem

China

Detalhes do produto

P-Channel MOSFET, Nexperia

MOSFET Transistors, NXP Semiconductors

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P.O.A.

Each (In a Pack of 10) (Sem VAT)

P-Channel MOSFET, 225 mA, 200 V, 3-Pin SOT-223 Nexperia BSP220,115
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Padrão

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Padrão - each

Disponível em múltiplos de 10.

Produção -

Disponível em múltiplos de 10.

Recomendado para pedidos em grandes quantidades. Os itens são embalados prontos para serem inseridos no maquinário, permitindo melhorar a eficiência da produção.

10

Disponível em múltiplos de 10
10P.O.A.
20P.O.A.
30P.O.A.
40P.O.A.
50P.O.A.
60P.O.A.
70P.O.A.
80P.O.A.
90P.O.A.
100P.O.A.
110P.O.A.
120P.O.A.
130P.O.A.
140P.O.A.
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Nexperia

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P

Maximum Continuous Drain Current

225 mA

Maximum Drain Source Voltage

200 V

Package Type

SOT-223

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

12 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2.8V

Minimum Gate Threshold Voltage

0.8V

Maximum Power Dissipation

1.5 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

6.7mm

Width

3.7mm

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Si

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