Documentos Técnicos
Especificações
Brand
NexperiaChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
225 mA
Maximum Drain Source Voltage
250 V
Package Type
SOT-223
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
15 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.8V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.8V
Maximum Power Dissipation
1.5 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
6.7mm
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Width
3.7mm
Height
1.7mm
Minimum Operating Temperature
-65 °C
País de Origem
China
Detalhes do produto
P-Channel MOSFET, Nexperia
MOSFET Transistors, NXP Semiconductors
P.O.A.
Each (Supplied on a Reel) (Sem VAT)
Embalagem de Produção (Bobina)
5
P.O.A.
Each (Supplied on a Reel) (Sem VAT)
Informações de estoque temporariamente indisponíveis.
Embalagem de Produção (Bobina)
5
Informações de estoque temporariamente indisponíveis.
Documentos Técnicos
Especificações
Brand
NexperiaChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
225 mA
Maximum Drain Source Voltage
250 V
Package Type
SOT-223
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
15 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.8V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.8V
Maximum Power Dissipation
1.5 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
6.7mm
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Width
3.7mm
Height
1.7mm
Minimum Operating Temperature
-65 °C
País de Origem
China
Detalhes do produto


