P-Channel MOSFET, 210 mA, 300 V, 3-Pin SOT-223 Nexperia BSP230,135

Nº de Estoque RS: 725-8372Marca: NexperiaPart Number: BSP230,135
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Documentos Técnicos

Especificações

Brand

Nexperia

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

210 mA

Maximum Drain Source Voltage

300 V

Package Type

SOT-223

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

17 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2.8V

Minimum Gate Threshold Voltage

1.95V

Maximum Power Dissipation

1.5 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

6.7mm

Width

3.7mm

Transistor Material

Si

Height

1.7mm

País de Origem

China

Detalhes do produto

P-Channel MOSFET, Nexperia

MOSFET Transistors, NXP Semiconductors

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P.O.A.

Each (In a Pack of 5) (Sem VAT)

P-Channel MOSFET, 210 mA, 300 V, 3-Pin SOT-223 Nexperia BSP230,135
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Padrão

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Padrão - each

Disponível em múltiplos de 5.

Produção -

Disponível em múltiplos de 5.

Recomendado para pedidos em grandes quantidades. Os itens são embalados prontos para serem inseridos no maquinário, permitindo melhorar a eficiência da produção.

5

Disponível em múltiplos de 5
5P.O.A.
10P.O.A.
15P.O.A.
20P.O.A.
25P.O.A.
30P.O.A.
35P.O.A.
40P.O.A.
45P.O.A.
50P.O.A.
55P.O.A.
60P.O.A.
65P.O.A.
70P.O.A.
75P.O.A.

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Brand

Nexperia

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

210 mA

Maximum Drain Source Voltage

300 V

Package Type

SOT-223

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

17 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2.8V

Minimum Gate Threshold Voltage

1.95V

Maximum Power Dissipation

1.5 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

6.7mm

Width

3.7mm

Transistor Material

Si

Height

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