P-Channel MOSFET, 130 mA, 50 V, 3-Pin SOT-23 Nexperia BSS84,215

Nº de Estoque RS: 436-8091PMarca: NexperiaPart Number: BSS84,215
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Documentos Técnicos

Especificações

Brand

Nexperia

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

130 mA

Maximum Drain Source Voltage

50 V

Package Type

SOT-23

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

10 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2V

Minimum Gate Threshold Voltage

0.8V

Maximum Power Dissipation

250 mW

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Length

3mm

Width

1.4mm

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Minimum Operating Temperature

-65 °C

Height

1mm

País de Origem

China

Detalhes do produto

P-Channel MOSFET, Nexperia

MOSFET Transistors, NXP Semiconductors

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20P.O.A.
30P.O.A.
40P.O.A.
50P.O.A.
60P.O.A.
70P.O.A.
80P.O.A.
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100P.O.A.
110P.O.A.
120P.O.A.
130P.O.A.
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Nexperia

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

130 mA

Maximum Drain Source Voltage

50 V

Package Type

SOT-23

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Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

10 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2V

Minimum Gate Threshold Voltage

0.8V

Maximum Power Dissipation

250 mW

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Length

3mm

Width

1.4mm

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Minimum Operating Temperature

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