Documentos Técnicos
Especificações
Brand
NexperiaTransistor Type
PNP
Maximum DC Collector Current
-250 mA
Maximum Collector Emitter Voltage
-400 V
Package Type
SOT-23
Mounting Type
Surface Mount
Maximum Power Dissipation
300 mW
Minimum DC Current Gain
100
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
-500 V
Maximum Emitter Base Voltage
-6 V
Pin Count
3
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Dimensions
3 x 1.4 x 1.1mm
País de Origem
China
Detalhes do produto
High Voltage Transistors, Nexperia
Bipolar Transistors, Nexperia
P.O.A.
Each (Supplied on a Reel) (Sem VAT)
Embalagem de Produção (Bobina)
25
P.O.A.
Each (Supplied on a Reel) (Sem VAT)
Informações de estoque temporariamente indisponíveis.
Embalagem de Produção (Bobina)
25
Informações de estoque temporariamente indisponíveis.
Documentos Técnicos
Especificações
Brand
NexperiaTransistor Type
PNP
Maximum DC Collector Current
-250 mA
Maximum Collector Emitter Voltage
-400 V
Package Type
SOT-23
Mounting Type
Surface Mount
Maximum Power Dissipation
300 mW
Minimum DC Current Gain
100
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
-500 V
Maximum Emitter Base Voltage
-6 V
Pin Count
3
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Dimensions
3 x 1.4 x 1.1mm
País de Origem
China
Detalhes do produto


