onsemi N-Channel MOSFET, 330 A, 40 V, 8-Pin LFPAK8 NTMJS0D9N04CLTWG

Nº de Estoque RS: 189-0485Marca: onsemiPart Number: NTMJS0D9N04CLTWG
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Documentos Técnicos

Especificações

Brand

onsemi

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

330 A

Maximum Drain Source Voltage

40 V

Package Type

LFPAK8

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance

1.2 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2V

Minimum Gate Threshold Voltage

1.2V

Maximum Power Dissipation

167 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

±20 V

Number of Elements per Chip

1

Width

4.9mm

Length

5mm

Typical Gate Charge @ Vgs

143 nC @ 10 V

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Forward Diode Voltage

1.2V

Height

1.2mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

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Informações de estoque temporariamente indisponíveis.

R$ 240,60

R$ 48,12 Each (In a Pack of 5) (Sem VAT)

onsemi N-Channel MOSFET, 330 A, 40 V, 8-Pin LFPAK8 NTMJS0D9N04CLTWG
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Padrão

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Padrão - each

Disponível em múltiplos de 5.

Produção -

Disponível em múltiplos de 5.

Recomendado para pedidos em grandes quantidades. Os itens são embalados prontos para serem inseridos no maquinário, permitindo melhorar a eficiência da produção.

5

Disponível em múltiplos de 5
5R$ 240,60
10R$ 481,20
15R$ 721,80
20R$ 962,40
25R$ 1.203,00
30R$ 1.443,60
35R$ 1.684,20
40R$ 1.924,80
45R$ 2.165,40
50R$ 2.106,50
55R$ 2.317,15
60R$ 2.527,80
65R$ 2.738,45
70R$ 2.949,10
75R$ 3.159,75

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30R$ 1.443,60
35R$ 1.684,20
40R$ 1.924,80
45R$ 2.165,40
50R$ 2.106,50
55R$ 2.317,15
60R$ 2.527,80
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QuantidadePreço unitárioPer Pacote
5 - 45R$ 48,12R$ 240,60
50 - 95R$ 42,13R$ 210,65
100+R$ 37,07R$ 185,35

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Especificações

Brand

onsemi

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

330 A

Maximum Drain Source Voltage

40 V

Package Type

LFPAK8

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance

1.2 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2V

Minimum Gate Threshold Voltage

1.2V

Maximum Power Dissipation

167 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

±20 V

Number of Elements per Chip

1

Width

4.9mm

Length

5mm

Typical Gate Charge @ Vgs

143 nC @ 10 V

Maximum Operating Temperature

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