onsemi N-Channel MOSFET, 330 A, 40 V, 8-Pin LFPAK8 NTMJS0D9N04CLTWG

Nº de Estoque RS: 189-0485Marca: onsemiPart Number: NTMJS0D9N04CLTWG
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Documentos Técnicos

Especificações

Brand

onsemi

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

330 A

Maximum Drain Source Voltage

40 V

Package Type

LFPAK8

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance

1.2 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2V

Minimum Gate Threshold Voltage

1.2V

Maximum Power Dissipation

167 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

±20 V

Number of Elements per Chip

1

Width

4.9mm

Length

5mm

Typical Gate Charge @ Vgs

143 nC @ 10 V

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Forward Diode Voltage

1.2V

Height

1.2mm

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Informações de estoque temporariamente indisponíveis.

R$ 238,75

R$ 47,75 Each (In a Pack of 5) (Sem VAT)

onsemi N-Channel MOSFET, 330 A, 40 V, 8-Pin LFPAK8 NTMJS0D9N04CLTWG
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Padrão

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Padrão - each

Disponível em múltiplos de 5.

Produção -

Disponível em múltiplos de 5.

Recomendado para pedidos em grandes quantidades. Os itens são embalados prontos para serem inseridos no maquinário, permitindo melhorar a eficiência da produção.

5

Disponível em múltiplos de 5
5R$ 238,75
10R$ 477,50
15R$ 716,25
20R$ 955,00
25R$ 1.193,75
30R$ 1.432,50
35R$ 1.671,25
40R$ 1.910,00
45R$ 2.148,75
50R$ 2.089,00
55R$ 2.297,90
60R$ 2.506,80
65R$ 2.715,70
70R$ 2.924,60
75R$ 3.133,50

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30R$ 1.432,50
35R$ 1.671,25
40R$ 1.910,00
45R$ 2.148,75
50R$ 2.089,00
55R$ 2.297,90
60R$ 2.506,80
65R$ 2.715,70
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QuantidadePreço unitárioPer Pacote
5 - 45R$ 47,75R$ 238,75
50 - 95R$ 41,78R$ 208,90
100+R$ 36,77R$ 183,85

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Especificações

Brand

onsemi

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

330 A

Maximum Drain Source Voltage

40 V

Package Type

LFPAK8

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance

1.2 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2V

Minimum Gate Threshold Voltage

1.2V

Maximum Power Dissipation

167 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

±20 V

Number of Elements per Chip

1

Width

4.9mm

Length

5mm

Typical Gate Charge @ Vgs

143 nC @ 10 V

Maximum Operating Temperature

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