onsemi N-Channel MOSFET, 533 A, 40 V, 8-Pin DFNW8 NTMTS0D6N04CTXG

Nº de Estoque RS: 186-1348PMarca: onsemiPart Number: NTMTS0D6N04CTXG
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Documentos Técnicos

Especificações

Brand

onsemi

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

533 A

Maximum Drain Source Voltage

40 V

Package Type

DFNW8

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance

480 μΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4V

Minimum Gate Threshold Voltage

2V

Maximum Power Dissipation

245 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

±20 V

Number of Elements per Chip

1

Width

8mm

Length

8.1mm

Typical Gate Charge @ Vgs

187 nC @ 10 V

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Forward Diode Voltage

1.2V

Height

1.15mm

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Each (Supplied on a Reel) (Sem VAT)

onsemi N-Channel MOSFET, 533 A, 40 V, 8-Pin DFNW8 NTMTS0D6N04CTXG
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Embalagem de Produção (Bobina)

Selecione o tipo de embalagem

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Disponível em múltiplos de 2.

Produção -

Disponível em múltiplos de 2.

Recomendado para pedidos em grandes quantidades. Os itens são embalados prontos para serem inseridos no maquinário, permitindo melhorar a eficiência da produção.

2

Disponível em múltiplos de 2
2P.O.A.
4P.O.A.
6P.O.A.
8P.O.A.
10P.O.A.
12P.O.A.
14P.O.A.
16P.O.A.
18P.O.A.
20P.O.A.
22P.O.A.
24P.O.A.
26P.O.A.
28P.O.A.
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onsemi

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

533 A

Maximum Drain Source Voltage

40 V

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DFNW8

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Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance

480 μΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4V

Minimum Gate Threshold Voltage

2V

Maximum Power Dissipation

245 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

±20 V

Number of Elements per Chip

1

Width

8mm

Length

8.1mm

Typical Gate Charge @ Vgs

187 nC @ 10 V

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