N-Channel MOSFET, 38 A, 60 V, 3-Pin DPAK onsemi NVD5C684NL

Nº de Estoque RS: 141-7228Marca: onsemiPart Number: NVD5C684NLT4G
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Documentos Técnicos

Especificações

Brand

onsemi

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

38 A

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Package Type

DPAK (TO-252)

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

24.3 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2.1V

Minimum Gate Threshold Voltage

1.2V

Maximum Power Dissipation

27 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

±20 V

Width

6.22mm

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Length

6.73mm

Typical Gate Charge @ Vgs

9.6 nC @ 10 V

Height

2.38mm

Series

NVD5C684NL

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Forward Diode Voltage

1.2V

Automotive Standard

AEC-Q101

Detalhes do produto

N-Channel Power MOSFET, 60V, ON Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semiconductor

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R$ 21,73

Each (In a Pack of 10) (Sem VAT)

N-Channel MOSFET, 38 A, 60 V, 3-Pin DPAK onsemi NVD5C684NL
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Padrão - each

Disponível em múltiplos de 10.

Produção -

Disponível em múltiplos de 10.

Recomendado para pedidos em grandes quantidades. Os itens são embalados prontos para serem inseridos no maquinário, permitindo melhorar a eficiência da produção.

10

Disponível em múltiplos de 10
10R$ 217,30
20R$ 434,60
30R$ 651,90
40R$ 869,20
50R$ 1.086,50
60R$ 1.303,80
70R$ 1.521,10
80R$ 1.738,40
90R$ 1.955,70
100R$ 1.427,00
110R$ 1.569,70
120R$ 1.712,40
130R$ 1.855,10
140R$ 1.997,80
150R$ 2.140,50

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60R$ 1.303,80
70R$ 1.521,10
80R$ 1.738,40
90R$ 1.955,70
100R$ 1.427,00
110R$ 1.569,70
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10 - 90R$ 21,73R$ 217,30
100 - 240R$ 14,27R$ 142,70
250 - 490R$ 14,11R$ 141,10
500 - 990R$ 13,94R$ 139,40
1000+R$ 13,81R$ 138,10

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Brand

onsemi

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

38 A

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Package Type

DPAK (TO-252)

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

24.3 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2.1V

Minimum Gate Threshold Voltage

1.2V

Maximum Power Dissipation

27 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

±20 V

Width

6.22mm

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Length

6.73mm

Typical Gate Charge @ Vgs

9.6 nC @ 10 V

Height

2.38mm

Series

NVD5C684NL

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Forward Diode Voltage

1.2V

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