onsemi N-Channel MOSFET, 68 A, 80 V, 8-Pin WDFN NVTFS6H850NTAG

Nº de Estoque RS: 172-3379Marca: onsemiPart Number: NVTFS6H850NTAG
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Documentos Técnicos

Especificações

Brand

onsemi

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

68 A

Maximum Drain Source Voltage

80 V

Series

NVTFS6H850N

Package Type

WDFN

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance

9.5 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4V

Minimum Gate Threshold Voltage

2V

Maximum Power Dissipation

107 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

±20 V

Number of Elements per Chip

1

Length

3.15mm

Typical Gate Charge @ Vgs

19 nC @ 10 V

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Width

3.15mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Forward Diode Voltage

1.2V

Automotive Standard

AEC-Q101

Height

0.75mm

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Informações de estoque temporariamente indisponíveis.

R$ 328,75

R$ 13,15 Each (In a Pack of 25) (Sem VAT)

onsemi N-Channel MOSFET, 68 A, 80 V, 8-Pin WDFN NVTFS6H850NTAG
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Padrão

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Padrão - each

Disponível em múltiplos de 25.

Produção -

Disponível em múltiplos de 25.

Recomendado para pedidos em grandes quantidades. Os itens são embalados prontos para serem inseridos no maquinário, permitindo melhorar a eficiência da produção.

25

Disponível em múltiplos de 25
25R$ 328,75
50R$ 657,50
75R$ 986,25
100R$ 1.150,00
125R$ 1.437,50
150R$ 1.725,00
175R$ 2.012,50
200R$ 2.300,00
225R$ 2.587,50
250R$ 2.525,00
275R$ 2.777,50
300R$ 3.030,00
325R$ 3.282,50
350R$ 3.535,00
375R$ 3.787,50

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25

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50R$ 657,50
75R$ 986,25
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125R$ 1.437,50
150R$ 1.725,00
175R$ 2.012,50
200R$ 2.300,00
225R$ 2.587,50
250R$ 2.525,00
275R$ 2.777,50
300R$ 3.030,00
325R$ 3.282,50
350R$ 3.535,00
375R$ 3.787,50

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QuantidadePreço unitárioPer Pacote
25 - 75R$ 13,15R$ 328,75
100 - 225R$ 11,50R$ 287,50
250+R$ 10,10R$ 252,50

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Especificações

Brand

onsemi

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

68 A

Maximum Drain Source Voltage

80 V

Series

NVTFS6H850N

Package Type

WDFN

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance

9.5 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4V

Minimum Gate Threshold Voltage

2V

Maximum Power Dissipation

107 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

±20 V

Number of Elements per Chip

1

Length

3.15mm

Typical Gate Charge @ Vgs

19 nC @ 10 V

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Width

3.15mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Forward Diode Voltage

1.2V

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